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超越2纳米？日本芯片目标被批“空中楼阁”，前景“摇摇欲坠”
日本媒体22日报道称，在日本政府支持下新成立的半导体制造企业“Rapidus”，提出了“超越2纳米”的大胆旗号。日本希望借此可以在技术上远远落下中国，并重拾“硅业强国”称号。但目前能生产40纳米芯片的日本希望一步跨越至全球先进的2纳米，这被不少行业人士批评为“空中楼阁”，认为日本此举可能会让“赢技术、输市场”的历史重演，甚至连日本共同社都表示，这一计划“面临着严峻的挑战”，其前景“摇摇欲坠”。
“后机会”
据《日本经济新闻》报道，丰田、索尼、日本电报电话公司（NTT）、日本电气（NEC）、日本电装、软银、铠侠和三菱日联银行八大企业本月11日宣布，合资成立一家名为Rapidus的高端芯片公司。这一公司名的拉丁语意思为“快速”。
报道称，Rapidus由芯片设备制造商东京电子前总裁东哲郎负责牵头，目标是在2025年至2030年间开始生产“超越2纳米”的高端芯片，2027年量产。8家公司各有定位，如铠侠的优势在存储用半导体方面，索尼将在图像方面发挥优势，软银等则可以提供资金支持等。此外，日本政府已宣布将向该公司提供700亿日元（约合35亿元人民币）补贴，以资助其芯片开发及生产。
在Rapidus宣布成立的同日，日本经济产业省还宣布，年内将联合美国建立先进半导体研发中心LSTC，并已为此拨出大约3500亿日元的财政预算。日媒分析认为，LSTC与Rapidus将成为日本振兴半导体的两大支柱，前者将与IBM在内的美国企业一同研发新的半导体技术，后者负责把研究成果与大规模生产联系起来，将技术转换为产品。
日媒分析称，10年前，日本并未投入资金进行产品的开发，在国际竞争中败给了对手，这家新企业是日本挽回空白10年的“后机会”。
从40纳米到2纳米差距有多大
此次Rapidus公司在日本国内以及全球半导体行业均引发震动，很大程度上因为其设定的目标——2纳米及以下。目前，全球范围内先进的半导体制程工艺为3纳米，台积电和三星电子今年开始量产3纳米芯片，且计划早在2025年大规模生产2纳米芯片。相比之下，日本企业目前只能生产40纳米左右的芯片。
从40纳米到2纳米的差距有多大？日本精密加工研究所所长汤之上隆此前曾撰文称，从40纳米到2纳米，中间还有32纳米、22纳米、16/14纳米、10纳米、7纳米、5纳米和3纳米等一道道关卡需要突破，“换言之，2纳米是目前日本九代的水平”。
正是由于这样的巨大跨越，不少业内人士和媒体并不看好日本能够在未来10年实现2纳米的目标。国内一家芯片设计公司的工程师李承告诉《环球时报》记者，如果日本只是将目标设定在14纳米甚至7纳米，不会有如此多的质疑。因为从7纳米开始，芯片的设计和制造难度提升明显，目前全球仅有三星和台积电掌握相关工艺。李承表示，虽然日本企业在存储芯片、半导体设备、光刻胶等领域占据着重要地位，但其在半导体制造领域已经掉队，“很难相信日本能在10年内‘咸鱼翻身’”。
日本共同社则从资金投入领域为本国政府“泼了一盆冷水”。该媒体称，日本政府对Rapidus公司700亿日元的财政支持，与美国政府在“芯片法案”中提出的527亿美元投入差距巨大，“让人质疑日本政府对振兴芯片行业的决心有多大”。此外，共同社还提到，由于日本半导体产业在过去10年发展停滞，Rapidus公司可能很快就会发现，在日本很难找到熟练的工程师和工人。